L'hydrogène est utilisé dans la croissance cristalline et la préparation de contraste, le processus d'oxydation, le processus d'épitaxie et le dépôt chimique (CVD). L'industrie des semi-conducteurs a une exigence élevée en matière de pureté des gaz. L'incorporation de traces d'impuretés modifiera l'activité de surface des semi-conducteurs. Lorsque SIHCI3 est généré à partir de silicium par du chlorure d'hydrogène, il est séparé par un processus de fractionnement et réduit par de l'hydrogène à haute température pour répondre à l'exigence de pureté du semi-conducteur : SIHCI3 + H2 --- -Si+3HCI. L'exigence de pureté de l'hydrogène est très élevée dans le processus ci-dessus. Les impuretés de monoxyde de carbone et de dioxyde de carbone dans l'hydrogène oxyderont le substrat et formeront du polysilicium. S'il contient du méthane, il formera du carbure de silicium dans la couche externe, provoquant des défauts. Dans le passé, la teneur en oxygène était inférieure à 1 * 10-6 et le point de rosée était inférieur à - 70c, mais maintenant il est plus exigeant. La production d'hydrogène par électrolyse de l'eau peut répondre aux exigences élevées des semi-conducteurs en hydrogène.
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